湖州高精度芯片焊接采购

芯片焊接不良有什么原因？怎么解决？基片清洁度差，基片被沾污、有局部油渍或氧化会严重影响焊接面的浸润性。这种沾污在焊接过程中是较容易观察到的，这时必须对基片进行再处理。热应力过大，热应力引起的失效是个缓慢的渐变过程，它不易察觉，但危害极大。通常芯片厚度越大应力相应越小。因此芯片不应过薄。另外如果基片或底座与芯片热性能不匹配，也会造成很大的机械应力。焊接前基片或底座可先在200℃预热，用于拾取芯片的吸头也可适当加热以减少热冲击。焊接后可以在N2 保护气氛下进行缓慢冷却，在此冷却过程中也可消除部分应力。基片金层过薄，当基片镀金层较薄又不够致密时，即使在氮气保护下，达到Au-Si共晶温度时，镀层也会发生严重的变色现象，从而影响焊接强度。对于1mm×1mm的芯片，基片上镀金层厚度大于2μm才能获得可靠的共晶焊般来说，芯片尺寸越大，镀金层也要相应增加。倒装芯片焊接技术将工作面上制有凸点电极的芯片朝下，与基板布线层直接键合。湖州高精度芯片焊接采购

倒装芯片焊接的一般工艺流程为：(1)芯片上凸点制作:(2)拾取芯片;(3)印刷焊膏或导电胶:(4)倒装焊接(贴放芯片);(5)再流焊或热固化(或紫外固化);(6)下填充。随着对产品的性能要求日益提高，需要在芯片上焊接上另外一个芯片，从而满足性能要求。目前的芯片凸点材质以锡，金，铜等材质为主，根据材质需要利用加热，超声，共晶等工艺手段，对凸点进行焊接。目前凸点一般在100微米内，凸点数从几十到几千，设备利用图像对比技术，较高可以达到±1um的对位精度，根据芯片的材质、厚度，硬度等，可以选择高压力，低压力控制方法，从而达到高精度的焊接。台州贴片焊接芯片封装形式更趋多样化，对倒装焊封装技术的要求也随之提高。

芯片焊接不良原因及相应措施：焊接温度过低，虽然Au-Si共晶点是370℃，但是热量在传递过程中要有所损失，因而应选择略高一些，但也不可太高，以免造成管壳表面氧化。焊接温度也要根据管壳的材料、大小、热容量的不同进行相应调整。为保证焊接质量，应定期用表面温度计测量加热基座的表面温度，必要时监测焊接面的温度。焊接时压力太小或不均匀，焊接时应在芯片上施加一定的压力。压力太小或不均匀会使芯片与基片之间产生空隙或虚焊。压力减小后，芯片剪切力强度大幅度下降，硅片残留面积均小于50%。但也不能使压力过大，以免碎片。因此焊接时压力的调整是很重要的，要根据芯片的材料、厚度、大小的综合情况进行调整，在实践中有针对性地积累数据，才能得到理想的焊接效果。

芯片倒装焊CB610具备低压，高压2种焊接压力区域。芯片倒装焊CB610的焊接台有自动平坦调整功能。芯片倒装焊CB610能达到±1um的焊接精度（热压工艺下）。芯片倒装焊CB610可对应不同材质的芯片。芯片倒装焊CB610可选点蘸助焊剂功能。目前的芯片凸点材质以锡，金，铜等材质为主，根据材质需要利用加热，超声，共晶等工艺手段，对凸点进行焊接。敝司的设备利用图像对比技术，较高可以达到±1um的对位精度，根据芯片的材质、厚度，硬度等，可以选择高压力，低压力控制方法，从而达到高精度的焊接。一般焊接空洞处不粘附芯片衬底材料，芯片推掉后可直接观察到空洞的大小和密度。

芯片焊接不良的原因是什么？芯片背面氧化，器件生产过程中，焊接前往往先在芯片背面蒸金。在Au-Si共晶温度下，Si会穿透金层而氧化生成SiO 2，这层SiO2会使焊接浸润不均匀，导致焊接强度下降。即使在室温下，硅原子也会通过晶粒间的互扩散缓慢移动到金层表面。因此，在焊接时保护气体N2必须保证足够的流量，较好加入部分H 2进行还原。芯片的保存也应引起足够的重视，不仅要关注环境的温湿度，还应考虑到其将来的可焊性，对于长期不用的芯片应放置在氮气柜中保存。芯片倒装焊可以提高芯片封装密度。湖州芯片焊接公司

倒装芯片焊接的工艺方法有再流焊法；湖州高精度芯片焊接采购

倒装芯片焊接技术是一种新兴的微电子封装技术，它将工作面上制有凸点电极的芯片朝下，与基板布线层直接键合。一般来说，这类器件具备以下特点:1.基材是硅:2.电气面及焊凸在器件下表面;3.球间距一般为4-14mil、球径为2.5-8mil、外形尺寸为1-27mm;4.组装在基板上后需要做底部填充。敝司的设备利用图像对比技术，较高可以达到±1um的对位精度，根据芯片的材质、厚度，硬度等，可以选择高压力，低压力控制方法，从而达到高精度的焊接。倒装芯片之所以被称为“倒装”，是相对于传统的金属线键合连接方式(WireBonding)与植球后的工艺而言的。湖州高精度芯片焊接采购

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